仪器型号：Helios 600i

生产厂家：FEI

技术参数：

二次电子像分辨率：0.9nm（15kV），1.4nm（1kV）

放大倍数：40~600000

加速电压：0.5~30kV

离子成像分辨率：4nm(30kV) 

加速电压：0.5~30kV

EDX分辨率： 127 eV (Mn-Ka)

EBSD： 34帧/秒

应用范围：

1.SEM扫描电子显微镜结构分析

2.EDX能谱分析

3.EBSD背散射电子衍射分析

4.微纳结构加工，TEM透射电镜样品制备

主要特点：

纳米尺度超高分辨率成像、分析和制造。创新的ElstarTM电子镜筒构成Helios NanoLab高分辨率成像的基础。可实现高热量稳定性的恒定功率透镜、可实现更高探测线性和速度的静电扫描以及可实现各种条件下的超清晰成像。改进的穿透透镜探测器（TLD）用于探测最高采集效率的SE（二次电子）和轴BSE（背散射电子），探测器套组包括可伸缩的的固态背散射探测器。

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